時間飛逝，2021年1月份即將過半。覆盤2020年，對於存儲行業而言，可謂風波不斷，從前期個人消費端需求下滑，居家辦公服務器猛增，到後期的管控、停電、產能緊張、材料漲價等問題突顯，再加上新能源汽車、5G通訊手機全面普及等新的需求正在爆發。
2021年開局，讓我們先來關注下存儲大廠都有哪些新動向呢？
：三星2021年將專注於閃存和晶圓代工技術的升級，以及產能擴張，其中包括量產第七代V-NAND的176層3D NAND，和擴大極紫外線（EUV）的生產能力，以此應對5nm和3nm晶圓代工的強勁需求。
：Western Digital將在2021年增加閃存的容量。預計BiCS5 112層的產品在今年也將更為普及。
：SK海力士已宣佈其最新一代的3D NAND具有176層電荷陷阱快閃存儲器（Charge Trap Flash Memory）。SK海力士計劃於明年中開始將其176L NAND導入移動裝置產品。
：美光最近推出世界首款176層的閃存產品。與其他頂級的DRAM製造商一樣，該公司正在生產第三代10奈米(1z)的產品。同時，美光預計在2021上半年推出第四代(1a)的DRAM。
：2021年KIOXIA和WD預期將把重心移往採用新一代分離柵（Split Gate）架構的160層技術。這種新的裝置有可能是在彼此頂部堆棧兩個80層的結構，從而形成一個160層的裝置。
：Intel發表了三款採用144層單元存儲器的新型SSD。這為TLC和QLC將成為高容量驅動器的主流技術，樹立了新的里程碑。
價格：Q1消費級SSD價格預期將會下降，企業級SSD價格也預期下降；
供給：控制器的交期將拉長，另外由於產能緊縮，價格預期將上漲。
儘管整個閃存市場目前仍供過於求的局面，但由於控制器IC產出不足、中低密度eMMC供應緊縮，因此，價格可能會上漲。控制器IC價格的上漲將導致eMMC解決方案的固定成本也隨之增加。反過來看，這將給正在採購零組件的OEM廠商帶來不小壓力。隨着這種情況轉為現實，需求量高的eMMC價格在今年Q1可能會小幅上漲，例如，適用於Chromebook的32GB和64GB eMMC。
根據TrendForce的最新調查顯示，上游半導體行業，台積電和聯電等主要代工廠產能滿載；而下游OSAT可用的產能也不足。在這種情況下，諸如Phison和Silicon Motion等閃存控制器IC廠商，現在都無法滿足客户的需求。由於閃存與內存供貨商之間的Q1合同談判正處於關鍵時刻，許多控制器IC廠商不僅對新訂單暫停報價，甚至還考慮儘快調漲價格。目前估計委外廠（IC設計公司）控制器IC的潛在漲價幅度為15％至20％。
由於中國政府在2020年大力推行5G商業化，全球整年5G手機的產量高達約2.4億台，滲透率達19％，其中中國品牌就有近60％的市佔率。5G今年仍將是智能手機市場的主要話題，許多國家/地區也將恢復5G基礎設施建設，而且移動處理器製造商也將繼續推出入門款和中階的5G芯片。因此，預計2021年5G智能手機的滲透率將快速增至37％，年產量約5億台。
滿足率：供過於求的情況將持續到2021上半年，預期自2021年Q3起將供不應求
（點擊查看大圖）
以容量分析消費級SSD的發展（2019-2024）：128GB在2021年將被快速淘汰
（點擊查看大圖）
2020年Q4與2021年供需滿足率
在內存應用上， 智能手機仍佔較高比例，另外服務器的需求在2021年將略微提升；
2021年內存的應用主要着重在5G和邊緣運算，因此服務器內存的成長可期；
（點擊查看大圖）
內存1Gb IC 2020/2021價格預測
內存滿足率: 供不應求
庫存: 緊張
價格走勢: 持續上揚
2020年12月起，供給開始嚴重短缺，價格也隨之上漲。預計這種情形預期將持續2021一整年。
（點擊查看大圖）
